Samsung predstavlja superbrzi DDR5 čip najverovatnije na IEEE konferenciji ove godine
Benchmark 05.02.2024 | Benchmark Redakcija
Samsung na predstojećoj IEEE međunarodnoj konferenciji „Solid-State Circuit“ 2024. godine navodno planira da, između ostalog, predstavi i memorijski superbrzi DDR5 čip sa duplo većim kapacitetom u istoj veličini kućišta kao i prethodni 16 Gb DDR5 DRAM modul.
Osim toga, novi čip dolazi sa velikom brzinom prenosa podataka od 8000 Mbps. Uz tu brzinu, novi superbrzi DDR5 čip koristi simetrično-mozaičku strukturu, kreiranu pomoću pete generacije Samsung 10 nm proizvodnog procesa posebno prilagođenog za DRAM proizvode. Ova tehnologija omogućava izradu DIMM modula od 32 GB i 48 GB na impresivnim DDR5-8000 brzinama u jednostrukim konfiguracijama, dok podržava i 64 GB i 96 GB DIMM module sa konfiguracijama u dva ranga. Kada je