Нови дизајн чипа продужиће трајање батерије на телефонима на 7 дана?
Нова економија 20.12.2021
ИБМ и Самсунг су најавили свој најновији напредак у дизајнирању полупроводника који се састоји у новом начину вертикалног слагања транзистора на чип, уместо да леже равно на површини полупроводника.
Из ових компанија кажу да би њихов нови дизајн чипа могао да продужи трајање батерије на телефонима и до недељу дана, пише Тхе Верге. Нови дизајн транзистора са ефектом вертикалног транспортног поља (ВТФЕТ) треба да наследи тренутну ФинФЕТ технологију која се користи за неке од данашњих најнапреднијих чипова и могла би да омогуц́и производњу чипова који су још гушц́е напуњени транзисторима него данас. Епл плаћа казну од пола милијарде долара због успоравања
