Samsung V-NAND prelazi granicu od 400 slojeva uz 25% manju potrošnju
Benchmark pre 1 sat | Aleksandar Božović
Samsung V-NAND iz nove V10 generacije postao je prvi NAND proizvod u industriji koji prelazi granicu od 400 slojeva, uz značajan napredak u gustini pakovanja, brzini i energetskoj efikasnosti.
Tehnologiju je na GMIF 2026 konferenciji predstavio Kevin Yin, CVP i CTO kompanije Samsung Memory China, u okviru šire strategije za servere i AI uređaje. U poređenju sa prethodnom V9 generacijom, Samsung navodi da V10 BV-NAND donosi 58% veću gustinu zapisa, 33% veću I/O brzinu i 25% nižu potrošnju energije. Ključ za toliku gustinu pakovanja tranzistroa predstavlja napredna „bonding“ tehnologija, pri kojoj se memorijske ćelije i periferna kontrolna kola proizvode
