Физичари направили наноструктуре које убрзавају електронику
Спутник 18.06.2018
Руски научници (Национални истраживачки нуклеарни универзитет МИФИ, Институт за физику метала СО РАН) разрадили су и проучили нанохетероструктуре на основу галијум арсенида, који може да убрза деловање високофреквентних микросхема.
Хетероструктуре су електронски материјали који се састоје од неколико различитих полупроводничких слојева. Савремени „квантни дизајн“ дозвољава да се оне праве са оним својствима која су у складу са производњом најновијих електронских уређаја. Брзина уређаја може да се побољша уколико се повећа садржај индијума у „активном“ (проводничком) слоју материјала. Увећање садржаја индијума омогућава да се смањи маса електрона у структури, као и да
