Novi dizajn poluprovodnika vodi ka duplo efikasnijim procesorima
PC Press 15.12.2021 | Milica Banovic
![Novi dizajn poluprovodnika vodi ka duplo efikasnijim procesorima](https://nstatic.net/img/logo/s/pcpress.png)
Na IEDM (International Electron Devices Meeting) konferenciji u San Francisku, IBM i Samsung predstavili su inovativni dizajn poluprovodnika.
Novi dizajn podrazumeva vertikalno slaganje tranzistora na čip i vodiće ka konstruisanju duplo bržih procesora. Kako VTFET radi? Tranzistori su, u postojećim procesorima i SoCs, na površini silikona položeni ravno, što uzrokuje da struja teče sa jedne na drugu stranu. Nasuprot tome, VTFET tranzistori (Vertical Transport Field Effect Transistors), položeni su jedan u odnosu na drugi normalno, pa struja teče vertikalno. Samsung i IBM tvrde da postoje 2 prednosti