Ibm i Samsung kažu da bi njihov novi dizajn čipa mogao da produži trajanje baterije na telefonima i do 7 dana

IBM i Samsung su najavili svoj najnoviji napredak u dizajnu poluprovodnika: novi način vertikalnog slaganja tranzistora na čip (umesto da leže ravno na površini poluprovodnika). Novi dizajn “Vertical Transport Field Effect Transistors” (VTFET) treba da nasledi trenutnu FinFET tehnologiju koja se koristi za neke od današnjih najnaprednijih čipova i mogla bi da omogući proizvodnju čipova koji su još gušće “načičkani” tranzistorima. U suštini, novi dizajn bi slagao