Ибм и Самсунг кажу да би њихов нови дизајн чипа могао да продужи трајање батерије на телефонима и до 7 дана

ИБМ и Самсунг су најавили свој најновији напредак у дизајну полупроводника: нови начин вертикалног слагања транзистора на чип (уместо да леже равно на површини полупроводника). Нови дизајн “Вертицал Транспорт Фиелд Еффецт Трансисторс” (ВТФЕТ) треба да наследи тренутну ФинФЕТ технологију која се користи за неке од данашњих најнапреднијих чипова и могла би да омогући производњу чипова који су још гушће “начичкани” транзисторима. У суштини, нови дизајн би слагао