Извор: Нова економија/Свет архива вести 20.12.2021

ИБМ и Самсунг су најавили свој најновији напредак у дизајнирању полупроводника који се састоји у новом начину вертикалног слагања транзистора на чип, уместо да леже равно на површини полупроводника. Из ових компанија кажу да би… »