Novi dizajn čipa produžiće trajanje baterije na telefonima na 7 dana?
Nova ekonomija 20.12.2021
IBM i Samsung su najavili svoj najnoviji napredak u dizajniranju poluprovodnika koji se sastoji u novom načinu vertikalnog slaganja tranzistora na čip, umesto da leže ravno na površini poluprovodnika.
Iz ovih kompanija kažu da bi njihov novi dizajn čipa mogao da produži trajanje baterije na telefonima i do nedelju dana, piše The Verge. Novi dizajn tranzistora sa efektom vertikalnog transportnog polja (VTFET) treba da nasledi trenutnu FinFET tehnologiju koja se koristi za neke od današnjih najnaprednijih čipova i mogla bi da omogući proizvodnju čipova koji su još gušće napunjeni tranzistorima nego danas. Epl plaća kaznu od pola milijarde dolara zbog usporavanja
