Samsung Ferroelectrics za NAND u 1000 slojeva i SSD kapaciteta 1 petabajt
Benchmark pre 10 dana | Aleksandar Božović
Planovi kompanije Samsung Electronics da proizvede uređaj za skladištenje „petabajta” podataka su se samo do pre nekog vremena činili nerealnim, ali kompanija sada razmatra korišćenje novih „feroelektričnih” materijala kako bi ostvarila ovaj cilj uz pomoć NAND memorije koja koristi tehnologiju sa preko 1000 slojeva sa tranzistorima.
Nedavno je bila priča o Samsung planovima za budućnost u vezi NAND tržišta, uključujući predstavljanje V-NAND fleš memorije 9. generacije, koja će koristiti čak 290 slojeva naslaganih jedan na drugom, postavljajući novu referencu na ovom delu tržišta. Zanimljivo je da je korejski gigant takođe najavio NAND memoriju sa neverovatnih 430 slojeva (10. Gen V-NAND) za koji se očekuje da će biti lansirana već sledeće godine. Sa tako naprednom tehnologijom, Samsung
