Самсунг Ферроелецтрицс за НАНД у 1000 слојева и ССД капацитета 1 петабајт
Бенцхмарк 13.05.2024 | Александар Божовић
Планови компаније Самсунг Елецтроницс да произведе уређај за складиштење „петабајта” података су се само до пре неког времена чинили нереалним, али компанија сада разматра коришћење нових „фероелектричних” материјала како би остварила овај циљ уз помоћ НАНД меморије која користи технологију са преко 1000 слојева са транзисторима.
Недавно је била прича о Самсунг плановима за будућност у вези НАНД тржишта, укључујући представљање В-НАНД флеш меморије 9. генерације, која ће користити чак 290 слојева наслаганих један на другом, постављајући нову референцу на овом делу тржишта. Занимљиво је да је корејски гигант такође најавио НАНД меморију са невероватних 430 слојева (10. Ген В-НАНД) за који се очекује да ће бити лансирана већ следеће године. Са тако напредном технологијом, Самсунг
