Bolja od NAND-a, razvijena brža i ekonomičnija memorija
Benchmark pre 9 dana | Aleksandar Božović
Feroelektrična svojstva hafnijuma u kombinaciji s drugim elementima čine ga obećavajućim materijalom za memorijske kartice i SSD-ove.
Umesto da se obraćaju pojedinačnim segmentima brojeći električne impulse, kao što je slučaj sa NAND fleš memorijom, predstavljeni poluprovodnik može promeniti svoju polarizaciju kada se primeni električno polje. Ovaj princip omogućava mnogo brži i efikasniji pristup različitim oblastima memorije sa kojih se mogu samo čitati podaci. Ranije je širina primenjenog napona bila preniska. Dodavanjem aluminijuma hafnijum oksidu, ovaj okvir za moguće napone, mogao bi biti
