Kina razvila 3D DRAM AI čip bez HBM memorije
Štreberi pre 4 dana
Kineska kompanija DFSX predstavila je DF1000, prvi AI akcelerator u Kini koji koristi 3D DRAM tehnologiju i izgrađen je isključivo uz pomoć domaćeg lanca snabdevanja.
Ovaj čip direktno odgovara na ograničenja uvoza HBM memorije iz inostranstva. DF1000 je baziran na 14nm procesu i nudi 520 TFLOPs BF16 računarskih performansi. Umesto HBM memorije, čip koristi 3D DRAM sa hibridnim bonding spojem, što obezbeđuje propusnost memorije do 6,4 TB/s i Scale-Up interconnect propusnost od 900 GB/s. Korišćenje hibridnog bondinga smanjuje rastojanje između konekcija sa mikrometarskih na sub-mikrometarske nivoe, povećavajući gustinu i
