Нови дизајн полупроводника води ка дупло ефикаснијим процесорима
ПЦ Пресс 15.12.2021 | Милица Бановиц
На ИЕДМ (Интернатионал Елецтрон Девицес Меетинг) конференцији у Сан Франциску, ИБМ и Самсунг представили су иновативни дизајн полупроводника.
Нови дизајн подразумева вертикално слагање транзистора на чип и водиће ка конструисању дупло бржих процесора. Како ВТФЕТ ради? Транзистори су, у постојећим процесорима и СоЦс, на површини силикона положени равно, што узрокује да струја тече са једне на другу страну. Насупрот томе, ВТФЕТ транзистори (Вертицал Транспорт Фиелд Еффецт Трансисторс), положени су један у односу на други нормално, па струја тече вертикално. Самсунг и ИБМ тврде да постоје 2 предности
