Самсунг планира производњу ССД уређаја великог капацитета, освајањем 290-слојне 3Д НАНД технологије
Бенцхмарк 16.04.2024 | Александар Божовић
Самсунг Елецтроницс би ускоро требало да започне масовну производњу 9. генерације В-НАНД флеш меморије током овог месеца, према извештају који преноси Ханкиунг.
Нова генерација Самсунг 3Д НАНД меморије ће имати 290 активних слојева, што је значајно повећање у односу на досадашњих 236 слојева и чињеница која са собом доноси значајну промену у начину на који се ове флеш меморије праве. Извештај о В-НАНД меморији 9. генерације израђене у 290 слојева је у супротности са званичним плановима компаније Самсунг да уведе 3Д НАНД меморију са преко 300 слојева 2024. године, тако да нове информације узмите са дозом резерве. У
