Револуционарна техника производње 3Д НАНД меморије могла би драстично убрзати производњу ССД-ова
Бенцхмарк 15.02.2025 | Александар Божовић
Истраживачи су развили нову технику гравирања транзистора у процесу производње 3Д НАНД флеш меморијских чипова која користи криогену (нискотемпературну) флуороводоничну плазму.
Овај поступак удвостручује брзину гравирања, али и паковања транзистора на силицијум у поређењу са досадашњим методама, што би могло омогућити складиштење веће количине података у уређајима попут паметних телефона, камера и рачунара. Стандардна НАНД флеш меморија користи се у мицроСД картицама, УСБ драјвовима и ССД-овима. Да би се повећао капацитет складиштења података, произвођачи су почели да слажу меморијске ћелије вертикално у процесу познатом као 3Д
