Samsung počinje masovnu proizvodnju 10 nm 16 Gb LPDDR4X DRAM čipova

Samsung je objavio da počinje sa masovnom proizvodnjom druge generacije 10-nanometarskog 16 Gb LPDDR4X (Low Power, Double Data Rate 4x) DRAM čipova. Sa ovim unapređenjem, Samsung će dobiti mogućnost upotrebe 4 GB, 6 GB i 8GB LPDDR4X paketa, koji će doneti smanjenje potrošnje od 10%, smanjenje debljine čipa od 20%, uz održavanje iste brzine protoka podataka (4266 Mb/s). Možda će se ovi moduli naći u novom Galaxy Note 9 telefonu kojeg očekujemo za