Самсунг почиње масовну производњу 10 нм 16 Гб ЛПДДР4КС ДРАМ чипова

Самсунг је објавио да почиње са масовном производњом друге генерације 10-нанометарског 16 Гб ЛПДДР4КС (Лов Повер, Доубле Дата Рате 4кс) ДРАМ чипова. Са овим унапређењем, Самсунг ће добити могућност употребе 4 ГБ, 6 ГБ и 8ГБ ЛПДДР4КС пакета, који ће донети смањење потрошње од 10%, смањење дебљине чипа од 20%, уз одржавање исте брзине протока података (4266 Мб/с). Можда ће се ови модули наћи у новом Галакси Ноте 9 телефону којег очекујемо за