Novi dizajn poluprovodnika vodi ka dvostruko efikasnijim procesorima
Biznis i finansije 15.12.2021 | PC Press
Na IEDM (International Electron Devices Meeting) konferenciji u San Francisku, IBM i Samsung predstavili su inovativni dizajn poluprovodnika.
Novi dizajn podrazumeva vertikalno slaganje tranzistora na čip i vodi ka konstruisanju dvostruko bržih procesora, piše PC Press. Tranzistori su, u postojećim procesorima i SoCs, na površini silikona položeni ravno, što uzrokuje da struja teče sa jedne na drugu stranu. Nasuprot tome, VTFET tranzistori (Vertical Transport Field Effect Transistors), položeni su jedan u odnosu na drugi normalno, pa struja teče vertikalno. Samsung i IBM tvrde da postoje dve prednosti
