Нови дизајн полупроводника води ка двоструко ефикаснијим процесорима
Бизнис и финансије 15.12.2021 | ПЦ Пресс
На ИЕДМ (Интернатионал Елецтрон Девицес Меетинг) конференцији у Сан Франциску, ИБМ и Самсунг представили су иновативни дизајн полупроводника.
Нови дизајн подразумева вертикално слагање транзистора на чип и води ка конструисању двоструко бржих процесора, пише ПЦ Пресс. Транзистори су, у постојећим процесорима и СоЦс, на површини силикона положени равно, што узрокује да струја тече са једне на другу страну. Насупрот томе, ВТФЕТ транзистори (Вертицал Транспорт Фиелд Еффецт Трансисторс), положени су један у односу на други нормално, па струја тече вертикално. Самсунг и ИБМ тврде да постоје две предности
