Samsung postigao ogroman napredak: nova NAND memorija troši čak 96% manje energije
Benchmark pre 7 sati | Aleksandar Božović
Samsung Electronics je potvrdio ogroman tehnološki iskorak: njihov SAIT istraživački institut (nekadašnji Samsung Advanced Institute of Technology) objavio je u časopisu Nature rezultate nove vrste NAND Flash strukture koja može da smanji potrošnju energije čak za 96% u odnosu na današnje komercijalne NAND čipove.
U naučnom radu pod nazivom „Ferroelectric transistors for low-power NAND flash“ tim istraživača opisuje kako je kombinacijom ferolelektričnih materijala i oksidnih poluprovodnika prvi put jasno definisan mehanizam koji omogućava rekordno nisku potrošnju energije tokom čitanja i upisa. NAND memorija je osnovni tip trajnog prostora za čuvanje podataka koji zadržava informacije čak i kada nema napajanja. Današnji razvoj NAND čipova zasniva se na gradnji sve viših 3D
