Кинези креирали флеш меморију која је милион пута бржа него УСБ
Б92 20.04.2025
Истраживачи из Кине остварили су пробој у сектору индустрије полупроводника развојем пикосекундног флеш меморијског уређаја.
Поменути уређај, према наводима истраживача са Фудан универзитета у Шангају, може да се похвали импресивном брзином приступа од 400 пикосекунди (или 0,4 наносекунде), што је еквивалентно операцијама од 25 милијарди пута у секунди. Истраживачки тим је ову иновацију назвао "ПоКС", а тренутно се сматра најбржим полупроводничким уређајем за складиштење набоја познатим до сада. Према Џоу Пенгу, водећем научнику на пројекту и истраживачу у Државној кључној лабораторији
